| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI4825DDY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 5168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4825DDY-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14.9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：86nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2550pF @ 15V 功率 - 最大值：5W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeABC15DRYS 圆形CA3102E20-18P 圆形DJT14E23-55PN 圆形DJT14E23-21HN 圆形DJT14E23-53PB 圆形DJT14E23-21JN 圆形DJT14E25-19HN Card EdgeEMM12DTKH-S288 芯片电阻 - 表面RL0510S-1R8-F 芯片电阻 - 表面MCR18EZHF1304 |
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